该小组2018年完成乳腺癌化疗3795例，国米第次日间化疗4324例，并加强化疗质量控制，实现全年工作零差错。

本次会议由复旦大学中外人文交流中心主办，欧冠小组国际问题研究院、国际关系与公共事务学院和发展研究院共同协办。赛保持不败上次05赛季该书由复旦大学中外人文交流中心主任张骥和邢丽菊教授主编。

复旦大学中外人文交流中心主任张骥、国米第次国际问题研究院邢丽菊教授分别作了总结发言。12月8日，欧冠小组2018中国大学智库论坛分论坛之中外人文交流与新型国际关系学术研讨会在复旦大学举行。外交学院院长秦亚青，赛保持不败上次05赛季一带一路智库合作联盟秘书长、中联部当代世界研究中心主任金鑫应邀出席论坛，并作2018中国大学智库论坛主旨演讲。金鑫在演讲中表示，国米第次加强中外人文交流对促进一带一路沿线民心相通具有重要意义，国米第次要创新思维，精准发力、由点及面，久久为功，进一步做好民心相通的工作。欧冠小组研讨会围绕中外人文交流的理论构建和人文交流与新型国际关系构建两个专题展开

神经突触是人类大脑信息处理和记忆的基本单位，赛保持不败上次05赛季利用新材料新构架开发新型人造电子/光电子器件模拟神经突触可塑性，赛保持不败上次05赛季对神经形态网络硬件实现和神经形态类脑计算的演化具有重要意义。复旦大学微电子学院博士研究生王水源和南京大学电子科学与工程学院博士研究生陈春生为论文的共同第一作者，国米第次周鹏和王欣然为本文的共同通讯作者。据悉，欧冠小组该套康复操将逐步在全国范围内推广和普及。

血液透析康复操共分3部分，赛保持不败上次05赛季贯穿血液透析前、中、后全过程。3月14日是第14个世界肾脏病日，国米第次由复旦大学附属中山医院肾内科、国米第次上海市肾脏疾病临床医学中心、上海市血液透析质量控制中心主任丁小强教授领衔的团队，正式推出国际上首套为血液透析患者设计的血液透析康复操。与此同时，欧冠小组规律服药、合理饮食、健康的生活方式和积极的人生态度，也是减少尿毒症患者并发症的发生、提高其生活质量不可或缺的部分。专家指出，赛保持不败上次05赛季肾脏病属于慢性进行性疾病，若病情恶化进入终末期，即为尿毒症，需进行血液透析治疗。

同时，复旦大学附属中山血液透析临床团队作为国际上最早涵盖医疗、护理、工程、检验的一体化团队之一，血液透析质量国际领先，患者5年生存率超过80%。我国肾脏病的患病率为11%，目前上海市接受透析治疗的尿毒症患者近1.7万人，其中血透者约1.2万人。

血透者平均每周需往返医院进行2至3次的透析，每次4至5小时左右，长此以往，许多血透者会认为自身无法工作，处处需要他人照顾，是家庭和社会的负担。率先推出的透析前篇共计10节，主要针对常合并骨、肌肉、关节、心脏和肺部疾病等症状的尿毒症患者，以及需要长期锻炼內瘘血管特殊性的血透者。杨女士表示，第一次尝试血液透析康复操，整个人的身心非常愉悦，这套操简单易学，不仅给她的透析生活带来了希望，也让她变得浑身透着活力魏大程解释道，普通的六方氮化硼，我们将它比喻成一张纸，一张纸覆盖在材料表面难免有缝隙，现有六方氮化硼制备方法中的转移过程会产生更多缝隙，同时引入杂质、缺陷，对研究带来不利影响。

（封面制图：尹逸柔） 制图：实习编辑：责任编辑：。近日，复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程团队经过三年努力，在场效应晶体管介电基底的界面修饰领域取得重要进展。但产生研究想法只是第一步，如何在介电基底上修饰共形六方氮化硼是需要解决的第一个问题。载流子迁移率涉及器件的发热问题，迁移率越高，那么同等电压下发热就越少。

界面热导下降则会使散热性能变差。复旦大学高分子科学系博士后刘冬华、陈小松为共同第一作者。

为解决芯片发热问题，魏大程团队开发了一种共形六方氮化硼（h-BN）修饰技术（即准平衡PECVD），在最低温度300 ºC的条件下，无需催化剂直接在二氧化硅/硅片（SiO2/Si）、石英、蓝宝石、单晶硅，甚至在具有三维结构的SiO2基底表面生长高质量六方氮化硼薄膜。这项技术将从崭新的角度为解决芯片散热问题提供新思路。

该项工作将有望为解决芯片散热问题提供一种介电基底修饰的新技术。器件工作的最大功率密度提高了2～4倍，达到4.23×103 W cm-2，高于现有电脑CPU工作的功率密度（约100 W cm-2）。新闻中心讯 随着半导体芯片的不断发展，运算速度越来越快，芯片发热问题愈发成为制约芯片技术发展的瓶颈，热管理对于开发高性能电子芯片至关重要。六方氮化硼是一种理想的介电基底修饰材料，能够改善半导体和介电基底界面。研究工作得到国家自然科学基金、上海市自然科学基金、聚合物分子工程国家重点实验室的经费支持。虽然六方氮化硼在学界的交流与报告会中曾被多次提及，但其在界面热耗散领域的潜在应用却往往被忽视，魏大程团队正是在多次交流中获得灵感，开始这一研究工作。

然而，六方氮化硼在界面热耗散领域的潜在应用则往往被忽视。在我们团队研发的这项技术中，共形六方氮化硼是直接在材料表面生长的，不仅完全贴合、不留缝隙，还无需转移。

在前期研究中，魏大程团队建立了二维原子晶体的等离子体增强CVD（PECVD）制备技术（Wei*, et al. Angew. Chem. Int. Ed. 2013, 52, 14121; Wei*, et al. Nat. Commun. 2018, 9, 193），等离子体刻蚀及修饰技术（Wei*, et al. Nat. Commun. 2013, 4, 1374）以及二维有机晶体的器件界面调控技术（Wei*, et al. Nat. Commun. 2019, 10, 756）。据魏大程介绍，芯片散热很大程度上受到各种界面的限制，其中导电沟道附近的半导体和介电基底界面尤其重要。

而器件迁移率越低，发热就越高。魏大程介绍说，共形六方氮化硼修饰后，二硒化钨场效应晶体管器件迁移率从2~21 cm2V-1s-1提高到56~121 cm2V-1s-1。

这也是六方氮化硼在半导体与介电衬底界面热耗散领域的首次应用。这一技术具有高普适性，不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件，还可以推广到其他材料和更多器件应用中。这也为解决芯片散热问题提供了崭新的思路。此外，同济大学研究员陈杰参与了界面热导的理论计算研究，新加坡国立大学教授AndrewT.S.Wee参与了扫描隧道显微镜和电子结构表征研究。

大量研究表明，六方氮化硼修饰能够降低基底表面粗糙度和杂质对载流子输运的影响，提高器件载流子迁移率。3月13日，相关研究成果以《共形六方氮化硼介电界面改善二硒化钨器件迁移率和热耗散》（Conformal Hexagonal-BoronNitrideDielectricInterface forTungstenDiselenideDevices withImproved Mobility and Thermal Dissipation）为题在线发表于《自然·通讯》（Nature Communications）。

此外，该研究中所采用的PECVD技术是一种芯片制造业中常用的制造工艺，使得这种共形六方氮化硼具有规模化生产和应用的巨大潜力。研究团队未来将继续致力于开发场效应晶体管电学材料，包括共轭有机分子、大分子、低维纳米材料，研究场效应晶体管器件的设计原理以及在光电、化学传感、生物传感等领域的应用。

而热耗散则关系到如何将这些热量释放掉。其次，虽然六方氮化硼被认为是一种高热导材料，然而界面热导和热导是两个不同概念，六方氮化硼能否提高半导体与介电基底之间的界面热导还是一个未知数。

共形六方氮化硼具有原子尺度清洁的van-der-Waals介电表面，与基底共形紧密接触，不用转移，可直接应用于二硒化钨（WSe2）等半导体材料的场效应晶体管（FET）。而共形六方氮化硼是完全贴合在材料表面的，中间无缝隙，没有杂质混入，更有利于取得好的结果。历时三年，团队最终开发出共形六方氮化硼修饰技术。现有的化学气相沉积（CVD）生长方法需要高温处理和金属催化剂，应用中需要从金属基底转移到介电基底表面，引入杂质、缺陷和间隙，破坏理想的van-der-Waals界面，导致器件迁移率和界面热导下降。

复旦大学高分子科学系研究员魏大程、同济大学物理与科学学院研究员徐象繁和中国科学院重庆绿色智能研究院研究员魏大鹏为共同通讯作者。界面热阻（WSe2/h-BN/SiO2）低于4.2×10-8 m2KW-1，比没有修饰的WSe2/SiO2界面降低了4.55×10-8 m2KW-1。

聚合物分子工程国家重点实验室和复旦大学高分子科学系分别为第一、第二完成单位。魏大程主持了该项研究工作，徐象繁参与了界面热导测量研究，魏大鹏参与了样品的合成及表征

3月13日，研究成果以《Bach1调控人胚胎干细胞自我更新并抑制干细胞向中胚层和内胚层的分化》（Bach1 Regulates Self-renewal and Impedes Mesendodermal Differentiation of Human Embryonic Stem Cells）为题在线发表于《科学进展》（Science Advances）。研究人员还首次证实了Bach1蛋白在组蛋白甲基化修饰方面发挥着独特的作用，是新的表观遗传调控因子。