基于背散射模式的超声评价可以全面反映骨质量，年北京如骨密度、骨微结构等信息，在骨质评价方面极具潜力。

复旦大学副校长徐雷、增长浙江大学党委副书记邬小撑出席会议并讲话，增长复旦大学、上海交通大学、南京大学、浙江大学、中国科学技术大学等五校本科生院、教务处、教师发展中心负责人参加。万亿元制图：实习编辑：责任编辑：。

会议提出，年北京加强华东五校教育协同具有时代的必要性和发展的紧迫性，年北京希望华东五校在长三角一体化发展的大背景下，围绕立德树人根本任务，充分发挥各自的特色和优势，努力在高等教育的协同发展方面发挥引领作用。增长会议还确定了南京大学为2019年华东五校教学年会承办单位本次活动还特别邀请了上海交通大学图书馆和同济大学图书馆的同行就知识产权信息服务工作做主题报告，万亿元分享了两校在知识产权信息服务方面的经验。在2019全国知识产权宣传周（4月20日-26日）期间，年北京复旦大学图书馆还同期举办了多场面向师生读者的知识产权知识普及讲座等活动。芮文彪强调，增长知识产权的保护和运用是上海建设国际科技创新中心的关键支撑，知识产权工作对于提升上海的经济创新力和竞争力非常重要。

该中心由复旦大学科学技术研究院和复旦大学图书馆联合组建，万亿元挂靠复旦大学图书馆。他代表学校祝贺复旦大学知识产权信息服务中心的成立，年北京希望中心能够整合学校知识产权管理、年北京服务和研究的资源，促进我校科技创新、推动成果转移转化，推进学校双一流建设。增长界面热导下降则会使散热性能变差。

复旦大学高分子科学系博士后刘冬华、万亿元陈小松为共同第一作者。为解决芯片发热问题，年北京魏大程团队开发了一种共形六方氮化硼（h-BN）修饰技术（即准平衡PECVD），年北京在最低温度300 ºC的条件下，无需催化剂直接在二氧化硅/硅片（SiO2/Si）、石英、蓝宝石、单晶硅，甚至在具有三维结构的SiO2基底表面生长高质量六方氮化硼薄膜。增长这项技术将从崭新的角度为解决芯片散热问题提供新思路。万亿元该项工作将有望为解决芯片散热问题提供一种介电基底修饰的新技术。

器件工作的最大功率密度提高了2～4倍，达到4.23×103 W cm-2，高于现有电脑CPU工作的功率密度（约100 W cm-2）。新闻中心讯 随着半导体芯片的不断发展，运算速度越来越快，芯片发热问题愈发成为制约芯片技术发展的瓶颈，热管理对于开发高性能电子芯片至关重要。

六方氮化硼是一种理想的介电基底修饰材料，能够改善半导体和介电基底界面。研究工作得到国家自然科学基金、上海市自然科学基金、聚合物分子工程国家重点实验室的经费支持。虽然六方氮化硼在学界的交流与报告会中曾被多次提及，但其在界面热耗散领域的潜在应用却往往被忽视，魏大程团队正是在多次交流中获得灵感，开始这一研究工作。然而，六方氮化硼在界面热耗散领域的潜在应用则往往被忽视。

在我们团队研发的这项技术中，共形六方氮化硼是直接在材料表面生长的，不仅完全贴合、不留缝隙，还无需转移。在前期研究中，魏大程团队建立了二维原子晶体的等离子体增强CVD（PECVD）制备技术（Wei*, et al. Angew. Chem. Int. Ed. 2013, 52, 14121; Wei*, et al. Nat. Commun. 2018, 9, 193），等离子体刻蚀及修饰技术（Wei*, et al. Nat. Commun. 2013, 4, 1374）以及二维有机晶体的器件界面调控技术（Wei*, et al. Nat. Commun. 2019, 10, 756）。据魏大程介绍，芯片散热很大程度上受到各种界面的限制，其中导电沟道附近的半导体和介电基底界面尤其重要。而器件迁移率越低，发热就越高。

魏大程介绍说，共形六方氮化硼修饰后，二硒化钨场效应晶体管器件迁移率从2~21 cm2V-1s-1提高到56~121 cm2V-1s-1。这也是六方氮化硼在半导体与介电衬底界面热耗散领域的首次应用。

这一技术具有高普适性，不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件，还可以推广到其他材料和更多器件应用中。这也为解决芯片散热问题提供了崭新的思路。

此外，同济大学研究员陈杰参与了界面热导的理论计算研究，新加坡国立大学教授AndrewT.S.Wee参与了扫描隧道显微镜和电子结构表征研究。大量研究表明，六方氮化硼修饰能够降低基底表面粗糙度和杂质对载流子输运的影响，提高器件载流子迁移率。3月13日，相关研究成果以《共形六方氮化硼介电界面改善二硒化钨器件迁移率和热耗散》（Conformal Hexagonal-BoronNitrideDielectricInterface forTungstenDiselenideDevices withImproved Mobility and Thermal Dissipation）为题在线发表于《自然·通讯》（Nature Communications）。此外，该研究中所采用的PECVD技术是一种芯片制造业中常用的制造工艺，使得这种共形六方氮化硼具有规模化生产和应用的巨大潜力。研究团队未来将继续致力于开发场效应晶体管电学材料，包括共轭有机分子、大分子、低维纳米材料，研究场效应晶体管器件的设计原理以及在光电、化学传感、生物传感等领域的应用。而热耗散则关系到如何将这些热量释放掉。

其次，虽然六方氮化硼被认为是一种高热导材料，然而界面热导和热导是两个不同概念，六方氮化硼能否提高半导体与介电基底之间的界面热导还是一个未知数。共形六方氮化硼具有原子尺度清洁的van-der-Waals介电表面，与基底共形紧密接触，不用转移，可直接应用于二硒化钨（WSe2）等半导体材料的场效应晶体管（FET）。

而共形六方氮化硼是完全贴合在材料表面的，中间无缝隙，没有杂质混入，更有利于取得好的结果。历时三年，团队最终开发出共形六方氮化硼修饰技术。

现有的化学气相沉积（CVD）生长方法需要高温处理和金属催化剂，应用中需要从金属基底转移到介电基底表面，引入杂质、缺陷和间隙，破坏理想的van-der-Waals界面，导致器件迁移率和界面热导下降。复旦大学高分子科学系研究员魏大程、同济大学物理与科学学院研究员徐象繁和中国科学院重庆绿色智能研究院研究员魏大鹏为共同通讯作者。

界面热阻（WSe2/h-BN/SiO2）低于4.2×10-8 m2KW-1，比没有修饰的WSe2/SiO2界面降低了4.55×10-8 m2KW-1。聚合物分子工程国家重点实验室和复旦大学高分子科学系分别为第一、第二完成单位。魏大程主持了该项研究工作，徐象繁参与了界面热导测量研究，魏大鹏参与了样品的合成及表征3月13日，研究成果以《Bach1调控人胚胎干细胞自我更新并抑制干细胞向中胚层和内胚层的分化》（Bach1 Regulates Self-renewal and Impedes Mesendodermal Differentiation of Human Embryonic Stem Cells）为题在线发表于《科学进展》（Science Advances）。

研究人员还首次证实了Bach1蛋白在组蛋白甲基化修饰方面发挥着独特的作用，是新的表观遗传调控因子。在人胚胎干细胞中敲除Bach1基因可促进干细胞向中胚层和内胚层分化，促进心血管前体细胞的分化。

随后研究人员开展了Bach1在干细胞功能和分化中的一系列研究。因此，研究干细胞如何维持多能性，如何向中胚层分化是亟需解决的科学问题，对人类疾病的再生医学治疗具有重大的意义。

Bach1是多梳蛋白抑制性复合体2（PRC2复合体）的一个新成员，调控组蛋白赖氨酸三甲基化(H3K27me3)的修饰，抑制中胚层和内胚层分化基因的转录。Bach1基因全身缺失可引起小鼠亚致死，但在人胚胎干细胞中Bach1蛋白的表达和功能不清楚。

研究团队前期在《循环研究》（Circulation Research）上发表的研究中，筛选发现了一个新的调控血管新生的上游关键转录因子Bach1，证实了Bach1抑制缺血性心血管疾病血管新生的新作用和新机制。得到了来自国家自然科学基金重大研究计划项目、面上项目，上海市卫生局重点科研项目等基金的资助。Bach1在小鼠胚胎发育早期高表达，与多能性因子Oct4共同表达在胚胎的内细胞团。尽管近些年来科学家们在理解并指导干细胞分化领域的研究上取得了一定的成绩，但调控胚胎早期中胚层和中胚层衍生物（包括心血管系统等）的分子机制还有很多问题尚不清楚，妨碍了将其分化的细胞安全有效地应用于临床。

近日，复旦大学基础医学院孟丹研究组与复旦大学附属中山医院张书宁副主任医师合作揭示了人胚胎干细胞自我更新和分化的新机制。干细胞具有自我更新和多能性，在一定条件下可以分化为体内任何种类的细胞。

Bach1在由人胚胎干细胞衍生的中胚层和内胚层的形成过程中扮演着非常重要的角色。因此，干细胞在器官再生和细胞替代治疗中具有广阔的应用前景。

Bach1在维持人胚胎干细胞自我更新中发挥着重要的作用，Bach1蛋白可以和多能性因子Nanog, Sox2和Oct4相互作用，并通过招募去泛素化酶USP7维持多能性因子的蛋白质稳定性。研究发现Bach1可促进人成体细胞的重编程，促进人表皮细胞返老还童，变成诱导性多能干细胞。